15 أبريل، 2024
اطروحة دكتوراه في كلية الهندسة عن تصميم ومحاكاة ترانزستور نوع GaN HEMT للتطبيقات ذات الكفاءة والسرعة العالية

ناقشت كلية الهندسة / قسم الهندسة الكهربائية بجامعة الموصل أطروحة دكتوراه عن تصميم ومحاكاة ترانزستور نوع GaN HEMT للتطبيقات ذات الكفاءة والسرعة العالية، يوم الأثنين الموافق 2024/4/15.
هدفت الاطروحة التي تقدمت بها الطالبة مروة عزالدين مرزا الى تصميم ترانستور نوع GaN HEMT في تطبيقات القدرة والسرعة العالية .
ناقشت الأطروحة تصميم ترانزستور نوع GaN HEMT وتصميم Class J power amplifier design باستخدام Physical model of the GaN HEMT “
حضر المناقشة عدد من تدريسيي الكلية
اظهرت النتائج كفاءة وخطية عالية لمكبر القدرة من نوع Class-J وإمكانية تطبيقيه في 5G Applications in sub-6GHz
ترأس لجنة المناقشة الأستاذ المتمرس الدكتور باسل شكر محمود وعضوية كلا من الأستاذ المساعد الدكتور احمد ذنون يونس / جامعة نينوى والأستاذ المساعد الدكتور نصير ميسر بشير / الجامعة التقنية الشمالية والأستاذ المساعد الدكتور محمد طارق ياسين والاستاذ المساعد الدكتور محمد يونس ذنون وبإشراف وعضوية الأستاذ الدكتورخالد خليل محمد.




