اطروحة دكتوراه في كلية الهندسة عن تصميم ومحاكاة ترانزستور نوع GaN HEMT للتطبيقات ذات الكفاءة والسرعة العالية
mohammed2024-04-17T12:41:24+03:00ناقشت كلية الهندسة / قسم الهندسة الكهربائية بجامعة الموصل أطروحة دكتوراه عن تصميم ومحاكاة ترانزستور نوع GaN HEMT للتطبيقات ذات الكفاءة والسرعة العالية، يوم الأثنين الموافق 2024/4/15. هدفت الاطروحة التي تقدمت بها الطالبة مروة عزالدين مرزا الى تصميم ترانستور نوع GaN HEMT في تطبيقات القدرة والسرعة العالية . ناقشت الأطروحة تصميم ترانزستور نوع GaN HEMT وتصميم Class J power amplifier design باستخدام Physical model of the GaN HEMT " حضر المناقشة عدد من تدريسيي الكلية اظهرت النتائج كفاءة وخطية عالية لمكبر القدرة من نوع Class-J وإمكانية تطبيقيه في 5G Applications in sub-6GHz ترأس لجنة المناقشة الأستاذ المتمرس الدكتور باسل شكر محمود [إقرأ المزيد]